FDS2672-F085 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 4 282
Cena jednostkowa : 8,07000 zł
Arkusz danych

Similar

SI4490DY-T1-E3
Vishay Siliconix
W magazynie: 2 694
Cena jednostkowa : 12,91000 zł
Arkusz danych

Similar

SI4490DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 126
Cena jednostkowa : 12,91000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 200 V 3,9A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS2672-F085

Numer produktu DigiKey
FDS2672-F085TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FDS2672-F085
Opis
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 200 V 3,9A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FDS2672-F085 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
UltraFET™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
3,9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
70mOhm przy 3,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2535 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOIC
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu
FDS2672
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.