Name: IRF7820TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7820TRPBFTR-ND
Price: 9.0282 PLN
Availability: InStock

IRF7820TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7820TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7820TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7820TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7820TRPBF
Opis	MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 3,7A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF7820TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	78mOhm przy 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1750 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	IRF7820

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
4 000	1,97327 zł	7 893,08 zł
8 000	1,92087 zł	15 366,96 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	7,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,02820 zł

IRF7820TRPBF