FDP26N40 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDP26N40 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 785

Cena jednostkowa : 4,28000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDP26N40
Numer produktu DigiKey	FDP26N40-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDP26N40
Opis	MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 400 V 26A (Tc) 265W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDP26N40 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	UniFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	400 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	26A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3185 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	265W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	FDP26