Kanał N 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCP165N65S3

Numer produktu DigiKey
FCP165N65S3OS-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FCP165N65S3
Opis
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta
17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FCP165N65S3 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
SuperFET® III
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
19A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
165mOhm przy 9,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1,9mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1500 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
154W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
FCP165
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 785
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
118,12000 zł18,12 zł
509,40540 zł470,27 zł
1008,56260 zł856,26 zł
5007,08612 zł3 543,06 zł
1 0006,61362 zł6 613,62 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:18,12000 zł
Cena jednostkowa z VAT:22,28760 zł