Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 16.7526 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS86163P
Numer produktu DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS86163PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS86163P
Opis	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 7,9A (Ta), 50A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMS86163P Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,9A (Ta), 50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 7,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4085 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	FDMS86163