Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 26.1867 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS4D0N12C
Numer produktu DigiKey	FDMS4D0N12COSTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS4D0N12C
Opis	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 18,5A (Ta), 114A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 370A
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 82 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6460 pF @ 60 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 120 V	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18,5A (Ta), 114A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDMS4
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4mOhm przy 67A, 10V