Name: FDMC86102L
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102LFSTR-ND
Price: 9.6309 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMC86102L
Numer produktu DigiKey	FDMC86102LFSTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMC86102LFSCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMC86102LFSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMC86102L
Opis	MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-MLP (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMC86102L Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7A (Ta), 18A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	23mOhm przy 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1330 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-MLP (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN
Bazowy numer produktu	FDMC86102