Name: FDMC510P
Brand: onsemi
SKU: FDMC510PTR-ND
Price: 13.7391 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMC510P
Numer produktu DigiKey	FDMC510PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMC510PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMC510PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMC510P
Opis	MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-MLP (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMC510P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 116 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7860 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-MLP (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12A (Ta), 18A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDMC510
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8mOhm przy 12A, 4,5V