Name: FDMA410NZ
Brand: onsemi
SKU: FDMA410NZTR-ND
Price: 6.7035 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMA410NZ
Numer produktu DigiKey	FDMA410NZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMA410NZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMA410NZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMA410NZ
Opis	MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 9,5A (Ta) 2,4W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-MicroFET (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMA410NZ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	23mOhm przy 9,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1080 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,4W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-MicroFET (2x2)
Obudowa / skrzynia	6-WDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	FDMA410