FDM606P onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDM606P
Numer produktu DigiKey	FDM606P-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDM606P
Opis	MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 6,8A (Tc) 1,92W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-MLP, MicroFET (3x2)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 6,8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2200 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,92W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-MLP, MicroFET (3x2)
Obudowa / skrzynia	8-SMD, płaskie odprowadzenie, podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	FDM606

FDM606P