FDG6313N onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDG6313N jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 21 484

Cena jednostkowa : 1,68000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,49000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 1

Cena jednostkowa : 2,89000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDG6313N
Numer produktu DigiKey	FDG6313N-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDG6313N
Opis	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 25V 500mA 300mW Montaż powierzchniowy SC-88 (SC-70-6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDG6313N Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	500mA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	450mOhm przy 500mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2,3nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	50pF przy 10V
Moc - maks.	300mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-88 (SC-70-6)
Bazowy numer produktu	FDG6313