Name: FDD86110
Brand: onsemi
SKU: FDD86110TR-ND
Price: 16.9617 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDD86110
Numer produktu DigiKey	FDD86110TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDD86110CT-ND - Taśma cięta (CT) FDD86110DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDD86110
Opis	MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 12,5A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 127W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2265 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 127W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12,5A (Ta), 50A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDD861
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10,2mOhm przy 12,5A, 10V