Name: FDD850N10L
Brand: onsemi
SKU: FDD850N10LTR-ND
Price: 6.2115 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDD850N10L
Numer produktu DigiKey	FDD850N10LTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDD850N10LCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDD850N10L
Opis	MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 15,7A (Tc) 50W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	75mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1465 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	50W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	FDD850

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 7 969

Po wyczerpaniu dostępnych zapasów tego produktu, obowiązywać będą standardowe opakowania i czasy realizacji określone przez producenta. Wyświetl Zamienniki.

Data ostatniego zakupu: 1.01.2026

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, firma DigiKey nie może obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)