FDD6635 onsemi | Półprzewodniki dyskretne | Platforma handlowa Digi-Key

FDD6635
Numer produktu DigiKey	FDD6635TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDD6635
Opis	MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 35 V 15A (Ta), 59A (Tc) 3,8W (Ta), 55W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	35 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta), 59A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1400 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	FDD663

FDD6635