Name: FDC6561AN
Brand: onsemi
SKU: FDC6561ANTR-ND
Price: 4.4649 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC6561AN
Numer produktu DigiKey	FDC6561ANTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC6561ANCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC6561ANDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC6561AN
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 2,5A 700mW Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC6561AN Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 95mOhm przy 2,5A, 10V
Producent onsemi	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria PowerTrench®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3,2nC przy 5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 220pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 700mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,5A	Bazowy numer produktu FDC6561