Name: FDC638P
Brand: onsemi
SKU: FDC638PTR-ND
Price: 4.9938 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC638P
Numer produktu DigiKey	FDC638PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC638PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC638PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC638P
Opis	MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 4,5A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC638P Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1160 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDC638
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 48mOhm przy 4,5A, 4,5V