Name: SSM3J332R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J332RLFTR-ND
Price: 1.7712 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J332R,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J332RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J332RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J332RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J332R,LF
Opis	MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J332R,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,2V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 560 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23F
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 10V	Bazowy numer produktu SSM3J332
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 42mOhm przy 5A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 29 059

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)