Name: FDC637BNZ
Brand: onsemi
SKU: FDC637BNZTR-ND
Price: 3.3087 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC637BNZ
Numer produktu DigiKey	FDC637BNZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC637BNZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC637BNZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC637BNZ
Opis	MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 6,2A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC637BNZ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 4.5 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 895 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu FDC637
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 6,2A, 4,5V