Name: FDC637AN
Brand: onsemi
SKU: FDC637ANTR-ND
Price: 5.1783 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC637AN
Numer produktu DigiKey	FDC637ANTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC637ANCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC637ANDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC637AN
Opis	MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 6,2A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDC637AN Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	24mOhm przy 6,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1125 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,6W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SuperSOT™-6
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	FDC637