Name: FDC6312P
Brand: onsemi
SKU: FDC6312PTR-ND
Price: 5.5227 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDC6312P
Numer produktu DigiKey	FDC6312PTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDC6312PCT-ND - Taśma cięta (CT) FDC6312PDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDC6312P
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 2,3A 700mW Montaż powierzchniowy SuperSOT™-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 115mOhm przy 2,3A, 4,5V
Producent onsemi	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Seria PowerTrench®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 7nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 467pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 700mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia SuperSOT™-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,3A	Bazowy numer produktu FDC6312