FCH125N60E onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCH125N60E jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 263

Cena jednostkowa : 26,24000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 179

Cena jednostkowa : 17,93000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 103

Cena jednostkowa : 34,40000 zł

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 531

Cena jednostkowa : 25,77000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 11,40090 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCH125N60E
Numer produktu DigiKey	FCH125N60E-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCH125N60E
Opis	MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 29A (Tc) 278W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FCH125N60E Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperFET® II
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	29A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 14,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2990 pF @ 380 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	FCH125