3LP01M-TL-E onsemi | Półprzewodniki dyskretne

3LP01M-TL-E jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 98 020

Cena jednostkowa : 1,06000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,88000 zł

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 12 556

Cena jednostkowa : 0,92000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

3LP01M-TL-E
Numer produktu DigiKey	3LP01M-TL-E-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	3LP01M-TL-E
Opis	MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy MCP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	3LP01M-TL-E Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,4Ohm przy 50mA, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7.5 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	MCP
Obudowa / skrzynia	SC-70, SOT-323
Bazowy numer produktu	3LP01