Name: PSMN1R4-100ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R4-100ASEJTR-ND
Price: 37.0107 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN1R4-100ASEJ
Numer produktu DigiKey	1727-PSMN1R4-100ASEJTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PSMN1R4-100ASEJCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PSMN1R4-100ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN1R4-100ASEJ
Opis	N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 340A (Tc) 935W (Tc) Montaż powierzchniowy CCPAK1212
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,6V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 366 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 26023 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 935W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 340A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia CCPAK1212
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 12-BESOP (szerokość 0,370", 9,40mm), podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,36mOhm przy 25A, 10V