PMV35EPER Nexperia USA Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

PMV35EPER nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Similar

FDN352AP

onsemi

W magazynie: 34 545

Cena jednostkowa : 2,73000 zł

Arkusz danych

Similar

NTR4171PT1G

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,69000 zł

Arkusz danych

Similar

TSM650P03CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

W magazynie: 24 848

Cena jednostkowa : 2,26000 zł

Arkusz danych

Similar

XP3P055N

YAGEO XSEMI

W magazynie: 840

Cena jednostkowa : 1,18000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał P 30 V 5,3A (Ta) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-236AB

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMV35EPER
Numer produktu DigiKey	1727-2729-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-2729-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-2729-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PMV35EPER
Opis	MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 5,3A (Ta) 480mW (Ta), 1,2W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-236AB
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 19.2 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Produkt wycofany z oferty DigiKey	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 793 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 480mW (Ta), 1,2W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,3A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-236AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 4,2A, 10V	Bazowy numer produktu PMV35

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (4)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
FDN352AP	onsemi	34 545	FDN352APCT-ND	2,73000 zł	Similar
NTR4171PT1G	onsemi	0	NTR4171PT1GOSCT-ND	2,69000 zł	Similar
TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	24 848	TSM650P03CXRFGCT-ND	2,26000 zł	Similar
XP3P055N	YAGEO XSEMI	840	5048-XP3P055NCT-ND	1,18000 zł	Similar

W magazynie: 0

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.

Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko

6 Pozycje

NTR4171PT1G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

onsemi

2,69000 zł

FDN352AP

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

2,73000 zł