PMPB29XPE,115 Nexperia USA Inc. | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMPB29XPE,115
Numer produktu DigiKey	1727-1372-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-1372-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-1372-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PMPB29XPE,115
Opis	MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 5A (Ta) 1,7W (Ta), 12,5W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN2020MD-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	32,5mOhm przy 5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2970 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN2020MD-6
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	PMPB29