Name: PMH600UNEH
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMH600UNEHTR-ND
Price: 0.492 PLN
Availability: OutOfStock

PMH600UNEH nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,10041 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 37 743

Cena jednostkowa : 1,76000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMH600UNEH
Numer produktu DigiKey	1727-PMH600UNEHTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PMH600UNEHCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PMH600UNEHDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PMH600UNEH
Opis	MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 800mA (Ta) 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN0606-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PMH600UNEH Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	800mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,2V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	620mOhm przy 600mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	950mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	21.3 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN0606-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	PMH600