Name: NX1029XH
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: NX1029XH-ND
Price: 0.38647 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NX1029XH
Numer produktu DigiKey	NX1029XH-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	NX1029XH
Opis	MOSFET N/P-CH 50V 0.33A SOT666
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 50V 330mA (Ta), 170mA (Ta) 330mW (Ta), 1,09W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-666
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,6nC przy 4,5V, 0,35nC przy 5V
Producent Nexperia USA Inc.	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 50pF przy 10V, 36pF przy 25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Moc - maks. 330mW (Ta), 1,09W (Tc)
Status części Nie do nowych projektów	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja Kanał N i P uzupełniający	Kwalifikacja AEC-Q101
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 50V	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 330mA (Ta), 170mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-666
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,6Ohm przy 500mA, 10V, 7,5Ohm przy 100mA, 10V	Bazowy numer produktu NX1029
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,1V przy 250µA