BSS84AKMB,315 Nexperia USA Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Kanał P 50 V 230mA (Ta) 360mW (Ta), 2,7W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN1006B-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSS84AKMB,315
Numer produktu DigiKey	1727-1264-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-1264-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-1264-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	BSS84AKMB,315
Opis	MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 50 V 230mA (Ta) 360mW (Ta), 2,7W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN1006B-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,1V przy 250µA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0.35 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Produkt wycofany z oferty DigiKey	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 36 pF @ 25 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 360mW (Ta), 2,7W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 50 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 230mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia DFN1006B-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 3-XFDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,5Ohm przy 100mA, 10V	Bazowy numer produktu BSS84

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 0

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.

Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko

3 Pozycje