Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 1.3653 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN65D8LFB-7B
Numer produktu DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN65D8LFB-7B
Opis	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montaż powierzchniowy X1-DFN1006-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN65D8LFB-7B Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 25 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 430mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia X1-DFN1006-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 260mA (Ta)	Obudowa / skrzynia 3-UFDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V, 10V	Bazowy numer produktu DMN65
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3Ohm przy 115mA, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 0

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)