Name: G3R350MT12J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-ND
Price: 16.23131 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R350MT12J
Numer produktu DigiKey	1913-G3R350MT12J-ND
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R350MT12J
Opis	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	G3R350MT12J Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,69V przy 2mA
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 15 V
Seria G3R™	Vgs (maks.) ±15V
Opakowanie Rurka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 334 pF @ 800 V
Status części Ostatnio kupiono	Straty mocy (maks.) 75W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 11A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V	Bazowy numer produktu G3R350
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 420mOhm przy 4A, 15V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Ostatni zakup

Data ostatniego zakupu: 31.05.2026

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	13,19619 zł	13 196,19 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.