Name: G3R350MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-TR-ND
Price: 39.8397 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R350MT12J-TR
Numer produktu DigiKey	1913-G3R350MT12J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1913-G3R350MT12J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1913-G3R350MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R350MT12J-TR
Opis	1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 10A (Tc) 64W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 395mOhm przy 4A, 18V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,7V przy 2mA
Seria G3R™, LoRing™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10 nC @ 15 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -10V
Status części Ostatnio kupiono	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 331 pF @ 800 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 64W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA