Name: VP2206N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-VP2206N3-G-P003TR-ND
Price: 12.0171 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VP2206N3-G-P003
Numer produktu DigiKey	150-VP2206N3-G-P003TR-ND - Taśma i szpula (TR) 150-VP2206N3-G-P003CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Microchip Technology
Numer produktu producenta	VP2206N3-G-P003
Opis	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	7 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	VP2206N3-G-P003 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Microchip Technology
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	640mA (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	900mOhm przy 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 10mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	450 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	740mW (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-92-3
Obudowa / skrzynia	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Bazowy numer produktu	VP2206