Kanał N 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7000-G

Numer produktu DigiKey
2N7000-G-ND
Producent
Numer produktu producenta
2N7000-G
Opis
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardowy czas realizacji przez producenta
7 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
2N7000-G Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 1mA
Prod.
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Torba
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
60 pF @ 25 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
1W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-92-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
5Ohm przy 500mA, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 1 396
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Torba
Ilość Cena jednostkowa Wartość
11,80000 zł1,80 zł
251,50800 zł37,70 zł
1001,32860 zł132,86 zł
Cena jednostkowa bez VAT:1,80000 zł
Cena jednostkowa z VAT:2,21400 zł