Name: 2N7000
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-2N7000TB-ND
Price: 1.2177 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7000
Numer produktu DigiKey	4878-2N7000CT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-2N7000TB-ND - Taśma i skrzynka (TB)
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	2N7000
Opis	MOSFET TO-92 60V 0.2A
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Otwór przelotowy TO-92
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	2N7000 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diotec Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	60 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-92
Obudowa / skrzynia	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 55 435

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i skrzynka (TB)