


IXTY4N65X2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTY4N65X2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTY4N65X2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 4A TO252 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 41 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 850mOhm przy 2A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 455 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 80W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,73000 zł | 12,73 zł |
| 70 | 6,09114 zł | 426,38 zł |
| 140 | 5,52671 zł | 773,74 zł |
| 560 | 4,65277 zł | 2 605,55 zł |
| 1 050 | 4,34590 zł | 4 563,20 zł |
| 2 030 | 4,09623 zł | 8 315,35 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,73000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,65790 zł |

