


IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTY1R6N100D2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTY1R6N100D2 |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N, z kanałem zubożonym 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXTY1R6N100D2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | - | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 10Ohm przy 800mA, 0V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | - | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 645 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 100W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 16,54000 zł | 16,54 zł |
| 70 | 8,14529 zł | 570,17 zł |
| 140 | 7,43257 zł | 1 040,56 zł |
| 560 | 6,32877 zł | 3 544,11 zł |
| 1 050 | 5,94142 zł | 6 238,49 zł |
| 2 030 | 5,90263 zł | 11 982,34 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 16,54000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 20,34420 zł |



