Similar
Similar



IXTY1R4N100P | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTY1R4N100P-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTY1R4N100P |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 21 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 1,4A (Tc) 63W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 50µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17.8 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 450 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 63W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1000 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11Ohm przy 500mA, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | 2,32806 zł | Similar |
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | 0,00000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 350 | 7,10200 zł | 2 485,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,10200 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,73546 zł |



