IXTU5N50P IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXTU5N50P jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 2 504

Cena jednostkowa : 9,19000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 9,19000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 1 748

Cena jednostkowa : 9,66000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTU5N50P
Numer produktu DigiKey	IXTU5N50P-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTU5N50P
Opis	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 4,8A (Tc) 89W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	Polar
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 2,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	620 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	89W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IXTU5