Odpowiednik parametryczny

IXTT110N10L2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTT110N10L2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTT110N10L2 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 37 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 260 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10500 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 600W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-268AA |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 55A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTT110N10L2-TRL | IXYS | 246 | 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND | 21,54000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 91,03000 zł | 91,03 zł |
| 30 | 58,05733 zł | 1 741,72 zł |
| 120 | 50,84933 zł | 6 101,92 zł |
| 510 | 50,33984 zł | 25 673,32 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 91,03000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 111,96690 zł |











