
IXTT110N10L2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTT110N10L2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTT110N10L2 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 37 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 18mOhm przy 55A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 260 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 10500 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 600W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-268AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 75,82000 zł | 75,82 zł |
| 30 | 47,88400 zł | 1 436,52 zł |
| 120 | 43,53717 zł | 5 224,46 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 75,82000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 93,25860 zł |








