Name: IXTT110N10L2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND
Price: 111.9669 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTT110N10L2-TRL
Numer produktu DigiKey	238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Taśma i szpula (TR) 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Taśma cięta (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTT110N10L2-TRL
Opis	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268 (IXTT)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA
Prod. IXYS	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 260 nC @ 10 V
Seria Linear L2™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10500 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 600W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-268 (IXTT)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-268-3, D3PAK (2 odpr. + wypust), TO-268AA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IXTT110
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 55A, 10V