
IXTP3N100D2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP3N100D2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP3N100D2 |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N, z kanałem zubożonym 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | - | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,5Ohm przy 1,5A, 0V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | - | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 37.5 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1020 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 125W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,28000 zł | 20,28 zł |
| 50 | 10,62500 zł | 531,25 zł |
| 100 | 9,69350 zł | 969,35 zł |
| 500 | 8,06232 zł | 4 031,16 zł |
| 1 000 | 7,68373 zł | 7 683,73 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,28000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 24,94440 zł |


