Name: IXTP6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP6N100D2-ND
Price: 46.3218 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTP6N100D2
Numer produktu DigiKey	238-IXTP6N100D2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTP6N100D2
Opis	MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	Depletion
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1000 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,2Ohm przy 3A, 0V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	95 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2650 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IXTP6

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 524

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	37,66000 zł	37,66 zł
50	20,96520 zł	1 048,26 zł
100	19,35700 zł	1 935,70 zł
500	17,49202 zł	8 746,01 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.