Name: IXTP200N055T2
Brand: IXYS
SKU: IXTP200N055T2-ND
Price: 22.4598 PLN
Availability: OutOfStock

IXTP200N055T2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

CSD18532KCS

Texas Instruments

W magazynie: 1 443

Cena jednostkowa : 10,61000 zł

Arkusz danych

Similar

EKI06051

Sanken Electric USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,53503 zł

Arkusz danych

Similar

IRFB3207PBF

Infineon Technologies

W magazynie: 408

Cena jednostkowa : 13,25000 zł

Arkusz danych

Similar

IRFB3207ZPBF

Infineon Technologies

W magazynie: 6 118

Cena jednostkowa : 12,52000 zł

Arkusz danych

Similar

IRFB3306PBF

Infineon Technologies

W magazynie: 3 012

Cena jednostkowa : 9,08000 zł

Arkusz danych

Similar

PSMN005-75P,127

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 6,10052 zł

Arkusz danych

Similar

PSMN4R2-60PLQ

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 1

Cena jednostkowa : 15,12000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał N 55 V 200A (Tc) 360W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTP200N055T2
Numer produktu DigiKey	IXTP200N055T2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTP200N055T2
Opis	MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 200A (Tc) 360W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	TrenchT2™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,2mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IXTP200

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Zapas fabryczny: 700

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	18,26000 zł	18,26 zł
50	9,47720 zł	473,86 zł
100	8,62920 zł	862,92 zł
500	7,14330 zł	3 571,65 zł
1 000	6,67584 zł	6 675,84 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.