IXTP12N65X2M jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


Rohm Semiconductor
W magazynie: 373
Cena jednostkowa : 14,78000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


STMicroelectronics
W magazynie: 360
Cena jednostkowa : 12,25000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 814
Cena jednostkowa : 13,79000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 431
Cena jednostkowa : 8,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,24000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 325
Cena jednostkowa : 9,90000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 160
Cena jednostkowa : 25,13000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 924
Cena jednostkowa : 25,61000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 603
Cena jednostkowa : 18,93000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,81000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 170
Cena jednostkowa : 14,60000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTP12N65X2M

Numer produktu DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXTP12N65X2M
Opis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
300mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1100 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220, wypustka izolowana
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Zapas fabryczny: 1 550
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3007,83033 zł2 349,10 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:7,83033 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,63131 zł