IXTP12N65X2M jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Rohm Semiconductor
W magazynie: 343
Cena jednostkowa : 15,48000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


STMicroelectronics
W magazynie: 358
Cena jednostkowa : 12,82000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 789
Cena jednostkowa : 14,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 430
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,75000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 325
Cena jednostkowa : 9,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 60
Cena jednostkowa : 24,60000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 867
Cena jednostkowa : 26,79000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 603
Cena jednostkowa : 18,53000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,55000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 170
Cena jednostkowa : 15,30000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,11861 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTP12N65X2M

Numer produktu DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXTP12N65X2M
Opis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17.7 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1100 pF @ 25 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
40W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220, wypustka izolowana
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
300mOhm przy 6A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (16)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
R6011ENXRohm Semiconductor343R6011ENX-ND15,48000 złBezpośrednie
STF16N60M6STMicroelectronics358497-STF16N60M6-ND12,82000 złBezpośrednie
FCPF380N60Eonsemi1 789FCPF380N60E-ND14,00000 złSimilar
IPA60R380C6XKSA1Infineon Technologies430IPA60R380C6XKSA1-ND9,62000 złSimilar
IPA65R310CFDXKSA1Infineon Technologies0IPA65R310CFDXKSA1-ND0,00000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Zapas fabryczny: 1 550
Sprawdź czas realizacji

Te zapasy są dostępne u dostawcy i mogą być dostępne dla firmy DigiKey po otrzymaniu zamówienia.

Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3009,65780 zł2 897,34 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,65780 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,87909 zł