Name: IPAN70R360P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN70R360P7SXKSA1-ND
Price: 7.4784 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPAN70R360P7SXKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPAN70R360P7SXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPAN70R360P7SXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 12,5A (Tc) 26,5W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPAN70R360P7SXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	360mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	517 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	26,5W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	IPAN70

Cena jednostkowa bez VAT:	6,08000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,47840 zł

IPAN70R360P7SXKSA1