
IXTP08N100D2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP08N100D2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP08N100D2 |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N, z kanałem zubożonym 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXTP08N100D2 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14.6 nC @ 5 V |
Prod. | Vgs (maks.) ±20V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 325 pF @ 25 V |
Opakowanie Rurka | Straty mocy (maks.) 60W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Typ FET | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Technologia | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220-3 |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1000 V | Obudowa / skrzynia |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 21Ohm przy 400mA, 0V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,66000 zł | 15,66 zł |
| 50 | 7,97520 zł | 398,76 zł |
| 100 | 7,23330 zł | 723,33 zł |
| 500 | 5,93286 zł | 2 966,43 zł |
| 1 000 | 5,51525 zł | 5 515,25 zł |
| 2 000 | 5,16422 zł | 10 328,44 zł |
| 5 000 | 4,97999 zł | 24 899,95 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,66000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,26180 zł |







