
IXTP01N100D | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP01N100D-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP01N100D |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N, z kanałem zubożonym 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 0V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 80Ohm przy 50mA, 0V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 25µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 5.8 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 100 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 1,1W (Ta), 25W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 30,26000 zł | 30,26 zł |
| 50 | 16,48940 zł | 824,47 zł |
| 100 | 15,16040 zł | 1 516,04 zł |
| 500 | 13,10808 zł | 6 554,04 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 30,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 37,21980 zł |



