Name: IXTA76P10T-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA76P10T-TRLTR-ND
Price: 34.6614 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTA76P10T-TRL
Numer produktu DigiKey	238-IXTA76P10T-TRLTR-ND - Taśma i szpula (TR) 238-IXTA76P10T-TRLCT-ND - Taśma cięta (CT) 238-IXTA76P10T-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTA76P10T-TRL
Opis	MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 76A (Tc) 298W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	TrenchP™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	76A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 38A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	197 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13700 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	298W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IXTA76