Odpowiednik parametryczny

IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTA1N200P3HV-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTA1N200P3HV |
Opis | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 48 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXTA1N200P3HV Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23.5 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 646 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 125W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 2000 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263AA |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 40Ohm przy 500mA, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA1N200P3HV-TRL | IXYS | 823 | 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND | 44,81000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 44,81000 zł | 44,81 zł |
| 50 | 25,25260 zł | 1 262,63 zł |
| 100 | 23,37110 zł | 2 337,11 zł |
| 500 | 20,21304 zł | 10 106,52 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 44,81000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 55,11630 zł |



