Name: IXTA1N200P3HV-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND
Price: 55.1163 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTA1N200P3HV-TRL
Numer produktu DigiKey	238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND - Taśma i szpula (TR) 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND - Taśma cięta (CT) 238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTA1N200P3HV-TRL
Opis	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263HV
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. IXYS	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23.5 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 646 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 125W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 2000 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263HV
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 40Ohm przy 500mA, 10V	Bazowy numer produktu IXTA1